球形脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）

簡要描述：該系統(tǒng)為球形脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）工藝研發(fā)設備。脈沖激光沉積（Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運動，進而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。

產(chǎn)品型號：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2021-12-03
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產(chǎn)品分類CLASSIFICATION

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	國產(chǎn)
應用領域	電子/電池

該系統(tǒng)為球形脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）工藝研發(fā)設備。脈沖激光沉積（Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運動，進而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術的應用較為廣泛，可用來制備金屬、半導體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。1、環(huán)境溫度：10℃～35℃
2、相對濕度：不大于75%
3、供水：水壓0.2MPa～0.4MPa,水溫15℃～25℃
4、設備周圍環(huán)境整潔，空氣清潔，不應有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導電的塵埃或氣體存在。

產(chǎn)品名稱	球形脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）
安裝條件	1、環(huán)境溫度：10℃～35℃ 2、相對濕度：不大于75% 3、供電電源：220V、單相、50±0.5 Hz 4、設備功率：小于4KW 5、供水：水壓0.2MPa～0.4MPa,水溫15℃～25℃， 6、設備周圍環(huán)境整潔，空氣清潔，不應有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導電的塵埃或氣體存在。
主要參數(shù)	1、系統(tǒng)采用真空室為球形結構，手動前開門 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸+電化學拋光鈍化處理 3、真空腔室有效尺寸為Φ300mm,配有可視觀察窗口 4、極限真空度：≤6.67x10-5Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用600L/S分子泵抽氣，前級采用8L/S)；系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S；系統(tǒng)從大氣開始抽氣到8.0x10-4 Pa，40分鐘可達到；停泵關機12小時后真空度：≤20Pa 5、樣品臺：樣品尺寸φ40mm，轉(zhuǎn)速1-20RPM，基片臺與轉(zhuǎn)靶距離40～90mm 6、樣品加熱最高加熱溫度：800℃，溫控精度：±1°C，采用控溫表進行控溫 7、四工位轉(zhuǎn)靶：每個靶位φ40mm,擋板只露出一個靶位，激光束要求打在最上面靶位，轉(zhuǎn)靶具有公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)功能 8、真空室內(nèi)設置烘烤、照明、水壓報警裝置 9、MFC一路質(zhì)量流量計控制進氣：0-100sccm

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